Datasheet FP35R12U1T4 - Infineon Даташит IGBT, маломощный NTC, 1200 В, 35 А, PIM — Даташит
Наименование модели: FP35R12U1T4
Купить FP35R12U1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 6 983 до 14 115 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V | |||
| FP35R12U1T4BPSA1 Infineon | 6 983 ₽ | ||
| FP35R12U1T4BPSA1 Infineon | 7 305 ₽ | ||
| FP35R12U1T4BPSA1 Infineon | по запросу | ||
| FP35R12U1T4 Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, маломощный NTC, 1200 В, 35 А, PIM
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP35R12U1T4
SmartPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC SmartPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC
' ( ) *
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 35 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 250 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Infineon - FP25R12U1T4
