Datasheet FP35R12U1T4 - Infineon Даташит IGBT, маломощный NTC, 1200 В, 35 А, PIM — Даташит

Купить FP35R12U1T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 3 832 до 34 502 ₽ 18 предложений от 14 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V
AllElco Electronics Весь мир	FP35R12U1T4BPSA1 Infineon	3 832 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FP35R12U1T4 Infineon	5 162 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FP35R12U1T4 Infineon	от 23 455 ₽	Купить
Элитан Россия	FP35R12U1T4 Infineon	34 502 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, маломощный NTC, 1200 В, 35 А, PIM

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
FP35R12U1T4
SmartPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC SmartPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC
' ( ) *

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 35 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 250 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Infineon - FP25R12U1T4