Datasheet F450R06W1E3 - Infineon Даташит IGBT, POW, счетверенный WITH NTC, 600 В, 50 А — Даташит
Наименование модели: F450R06W1E3
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 75A | |||
F4-50R06W1E3 Infineon | 2 195 ₽ | ||
F4-50R06W1E3 Infineon | 2 325 ₽ | ||
F4-50R06W1E3 Infineon | 2 444 ₽ | ||
F4-50R06W1E3 - Infineon Technologies Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, POW, счетверенный WITH NTC, 600 В, 50 А
Краткое содержание документа:
! ! "#$%& "#$%& ! ! '' * ' ! % % ( ! ) % ) %
'()* + ' ,( -./ + % 0 1 ,(23 + 4 5 0 6 5 +8 : $ 6; +, 5 +< + !<' < $ : +A +A +4 + 5 $7 : 7 < 5 5 ,B 4 7 '()CDE 7 < 56 = 4 0 , +0 9 8 +, +< + !?< <
7
>
7
Спецификации:
- Module Configuration: Quad
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 50 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.45 В
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 15
- Рассеиваемая мощность максимальная: 225 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Infineon - F475R06W1E3