Datasheet DF1400R12IP4D - Infineon Даташит IGBT, HIG POW, 1200 В, 1400 А — Даташит

Купить DF1400R12IP4D на РадиоЛоцман.Цены — от 46 468 до 6 475 092 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.4kA 7700mW 12Pin PRIME3-1 Tray
ChipWorker Весь мир	DF1400R12IP4D Infineon	46 468 ₽	Купить
ЧипСити Россия	DF1400R12IP4D Infineon	112 283 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	DF1400R12IP4D	6 475 092 ₽	Купить
Maybo Весь мир	DF1400R12IP4D Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, HIG POW, 1200 В, 1400 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-modules
DF1400R12IP4D
PrimePACKTM3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, grцЯerer Emitter Controlled 4 Diode PrimePACKTM3 module with Trench/Fieldstop IGBT4, increased Emitter Controlled 4 diode
( ) * + ,

Спецификации:

• Module Configuration: Single
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 1400 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.75 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 12
• Рассеиваемая мощность максимальная: 7.7 кВт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• DAVICO - D 25-10
• TE Connectivity - 0-0160170-0