Datasheet BSM75GAR120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, CHOPPER, 1200 В — Даташит
Наименование модели: BSM75GAR120DN2
Купить BSM75GAR120DN2 на РадиоЛоцман.Цены — от 7 237 до 626 228 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули | |||
| BSM75GAR120DN2HOSA1 Infineon | 7 237 ₽ | ||
| BSM75GAR120DN2HOSA1 Infineon | 8 426 ₽ | ||
| BSM75GAR120DN2 Infineon | по запросу | ||
| BSM75GAR120DN2 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT MODULE, CHOPPER, 1200 В
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 105 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
- Power Dissipation Max: 625 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+125°C
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 7
- Тип корпуса: M34a
- Тип транзистора:
- Current Ic Continuous a Max: 75 А
- Power Dissipation Pd: 625 Вт
- Voltage Vces: 1.2kV
RoHS: есть
