Datasheet BSM75GAR120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, CHOPPER, 1200 В — Даташит

Купить BSM75GAR120DN2 на РадиоЛоцман.Цены — от 4 963 до 524 205 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 105A 5Pin 34MM
ChipWorker Весь мир	BSM75GAR120DN2 Infineon	4 963 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BSM75GAR120DN2HOSA1 Infineon	7 053 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSM75GAR120DN2HOSA1 Infineon	7 503 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BSM75GAR120DN2HOSA1	524 205 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, CHOPPER, 1200 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:


Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 105 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
• Power Dissipation Max: 625 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +125°C

• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• Тип корпуса: M34a
• Тип транзистора:
• Current Ic Continuous a Max: 75 А
• Power Dissipation Pd: 625 Вт
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть