Datasheet BSM200GB120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, DUAL, 1200 В — Даташит

Купить BSM200GB120DN2 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.31 до 92 126 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
727GS Весь мир	BSM200GB120DN2HOSA1 Infineon	от 2.31 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSM200GB120DN2HOSA1 Infineon	19 056 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BSM200GB120DN2 Infineon	30 452 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BSM200GB120DN2	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT MODULE, DUAL, 1200 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSM 200 GB 120 DN2
IGBT Power Module
· Half-bridge · Including fast free-wheeling diodes · Package with insulated metal base plate
Type BSM 200 GB 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 k Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C
VCE

Спецификации:

• DC Collector Current: 290 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 3 В
• Power Dissipation Max: 1.4 кВт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Количество выводов: 7
• Альтернативный тип корпуса: M62a
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +125°C

• Тип корпуса: Half Bridge 2
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Current Ic Continuous a Max: 200 А
• Current Temperature: 80°C
• Fall Time tf: 120 нс
• Power Dissipation: 1.4 кВт
• Power Dissipation Pd: 1.4 кВт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 160 нс
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть