Datasheet 2MBI200U4B-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 200 А, 1200 В — Даташит
Наименование модели: 2MBI200U4B-120-50
5 предложений от 5 поставщиков Dual IGBT 200A 1200V 2MBi200U4B-120-50 | |||
| 2MBI200U4B-120-50 Fuji | 7 796 ₽ | ||
| 2MBI200U4B-120-50 Fujitsu | по запросу | ||
| 2MBI200U4B-120-50 Fuji Electric | по запросу | ||
| 2MBI200U4B-120-50 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 200 А, 1200 В
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.
No.
: : :
IGBT MODULE
(RoHS compliant product)
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 300 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.25 В
- Рассеиваемая мощность: 1.04 кВт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 7
- Current Ic @ Vce Sat: 200 А
- Current Ic Continuous a Max: 300 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 45 мм
- Внешняя длина / высота: 30 мм
- Внешняя ширина: 92 мм
- Fall Time tf: 410 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: M233
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.04 кВт
- Pulsed Current Icm: 600 А
- Rise Time: 320 нс
- Способ монтажа: Screw
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть
Варианты написания:
2MBI200U4B12050, 2MBI200U4B 120 50
