Datasheet 2MBI100TA-60-50 - Fuji Electric Даташит IGBT MODULE, 600 В, 100 А — Даташит
Наименование модели: 2MBI100TA-60-50
Купить 2MBI100TA на РадиоЛоцман.Цены — от 4 342 до 245 938 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 150 °C, Module | |||
| 2MBI100TA-060-50 Fuji | 4 342 ₽ | ||
| 2MBI100TA06050 | 245 938 ₽ | ||
| 2MBI100TA-060 | по запросу | ||
| 2MBI100TA-060-50 Fuji Electric | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT MODULE, 600 В, 100 А
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
2MBI100TA-060
Features
· High speed switching · Voltage drive · Low inductance module structure
IGBT Module
IGBT Module T-Series
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 100 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
- Power Dissipation Max: 400 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 7
- External Depth: 34 мм
- Внешняя длина / высота: 30 мм
- Внешняя ширина: 92 мм
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: M232
- Способ монтажа: Screw
- Вес: 0.18kg
- Current Ic @ Vce Sat: 100 А
- Current Ic Continuous a Max: 100 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time tf: 350 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Isolation Voltage: 2.5kV
- Power Dissipation: 400 Вт
- Power Dissipation Pd: 400 Вт
- Pulsed Current Icm: 200 А
- Rise Time: 600 нс
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Варианты написания:
2MBI100TA6050, 2MBI100TA 60 50
