Datasheet 2MBI100S-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 100 А, 1200 В, NPT — Даташит

Купить 2MBI100S-120-50 на РадиоЛоцман.Цены Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 2MBI100S-120-50 IGBT Array & Module Transistor, Dual Pack, N Channel, 150A, 2.6V, 780W, 1.2kV, Module
ChipWorker Весь мир	2MBI100S-120-50 Fuji	5 935 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	2MBI100S-120-50 Fujitsu	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 100 А, 1200 В, NPT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2MBI 100S-120
IGBT MODULE ( S-Series ) s Features
· NPT-Technology · Square SC SOA at 10 x IC · High Short Circuit Withstand-Capability · Small Temperature Dependence of the Turn-Off Switching Loss · Low Losses And Soft Switching
2-Pack IGBT 1200V 2x100A
s Outline Drawing

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 150 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
• Рассеиваемая мощность: 780 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• Current Ic @ Vce Sat: 100 А
• Current Ic Continuous a Max: 150 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 62 мм
• Внешняя длина / высота: 30 мм
• Внешняя ширина: 108 мм
• Fall Time tf: 450 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: M234
• Рассеиваемая мощность максимальная: 780 Вт
• Pulsed Current Icm: 300 А
• Rise Time: 350 нс
• Способ монтажа: Screw
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI100S12050, 2MBI100S 120 50