Datasheet IXER35N120D1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXER35N120D1
 Купить IXER35N120D1 на РадиоЛоцман.Цены — от 180 до 7 823 ₽11 предложений от 11 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A | |||
| IXER35N120D1 IXSH35N120A IGBT 1200 в 50A 200 Вт TO-247 мощный большой чип-транзистор с гарантией качества | 180 ₽ | ||
| IXER35N120D1 IXYS | 275 ₽ | ||
| IXER35N120D1 IXYS | 7 823 ₽ | ||
| IXER35N120D1 IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOPLUS247
Спецификации:
- DC Collector Current: 50 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 50 А
- Fall Time tf: 50 нс
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.6°C/W
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Тип корпуса: ISOPLUS-247
- Pin Configuration: Copack (FRD)
- Power Dissipation: 200 Вт
- Rise Time: 50 нс
- Способ монтажа: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Тип транзистора:
- Voltage Vces: 1.2kV
RoHS: есть
