Datasheet VS-GA200SA60UP - Vishay Даташит IGBT, SOT-227 — Даташит

Купить VS-GA200SA60UP на РадиоЛоцман.Цены — от 2 040 до 15 400 ₽ 16 предложений от 16 поставщиков Транзистор IGBT, VISHAY VS-GA200SA60UP IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200A, 1.92V, 500W, 600V, SOT-227
ChipWorker Весь мир	VS-GA200SA60UP Vishay	2 447 ₽	Купить
Софт-Логистик Россия	VS-GA200SA60UP, Транзистор IGBT 600В 100А 500Вт, [SOT-227] Vishay	4 626 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	VS-GA200SA60UP Vishay	5 065 ₽	Купить
Элитан Россия	VS-GA200SA60UP Vishay	15 400 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT, SOT-227

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -50066A
GA200SA60U
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
· UltraFast: Optimized for minimum saturation voltage and operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonant mode · Very low conduction and switching losses · Fully isolate package ( 2,500 Volt AC/RMS) · Very low internal inductance ( 5 nH typ.) · Industry standard outline

Спецификации:

• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.6 В
• Power Dissipation Max: 500 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Current Ic Continuous a Max: 200 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 460 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation: 500 Вт
• Power Dissipation Pd: 500 Вт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 75 нс
• Способ монтажа: Screw
• Полярность транзистора: N Channel
• Тип транзистора:
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Nettlefolds - MB04040010007FA
• SCHRODER - 13459

Варианты написания:

VSGA200SA60UP, VS GA200SA60UP