Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet IKW30N60H3 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247 — Даташит

Infineon IKW30N60H3

Наименование модели: IKW30N60H3

57 предложений от 26 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
727GS
Весь мир
IKW30N60H3FKSA1
Infineon
50 ₽
Триема
Россия
IKW30N60H3FKSA1
Infineon
229 ₽
Romstore
Россия, Беларусь
IKW30N60H3 (K30H603)
от 396 ₽
IKW30N60H3FKSA1
Infineon
440 ₽

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
!"#$%&$ #
&$$'
()
*
!"#$%&$ #

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 30 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
  • Power Dissipation Max: 187 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - THFU 2

На английском языке: Datasheet IKW30N60H3 - Infineon IGBT+ DIODE, 600 V, 20 A, TO247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка