Datasheet IKW30N60H3 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: IKW30N60H3
![]() 57 предложений от 26 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube | |||
IKW30N60H3FKSA1 Infineon | 50 ₽ | ||
IKW30N60H3FKSA1 Infineon | 229 ₽ | ||
IKW30N60H3 (K30H603) | от 396 ₽ | ||
IKW30N60H3FKSA1 Infineon | 440 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247
Краткое содержание документа:
!"#$%&$ #
&$$'
()
*
!"#$%&$ #
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 30 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Power Dissipation Max: 187 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - THFU 2