Datasheet IKW25N120T2 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 1200 В, 25 А, TO247 — Даташит

Купить IKW25N120T2 на РадиоЛоцман.Цены — от 103 до 956 ₽ 41 предложений от 22 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
AiPCBA Весь мир	IKW25N120T2XK Infineon	103 ₽	Купить
LIXINC Electronics Весь мир	IKW25N120T2 Rochester Electronics	от 132 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	IKW25N120T2FKSA1 Infineon	от 401 ₽	Купить
Allelco Весь мир	IKW25N120T2FKSA1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE, 1200 В, 25 А, TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop 2
®
nd
IKW25N120T2
generation Series

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 25 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
• Power Dissipation Max: 349 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - THFU 2