Источники питания сетевого напряжения на DIN-рейке MEAN WELL

Datasheet IKB06N60T - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,6A,TO263 — Даташит

Infineon IKB06N60T

Наименование модели: IKB06N60T

23 предложений от 11 поставщиков
INFINEON IKB06N60T IGBT Single Transistor, 6A, 2.05V, 88W, 600V, TO-263, 3Pins
Зенер
Россия и страны ТС
IKB06N60T
от 70 ₽
ЧипСити
Россия
IKB06N60T
Infineon
190 ₽
LIXINC Electronics
Весь мир
IKB06N60T
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
IKB06N60T
Infineon
по запросу
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,6A,TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop series
®
IKB06N60T p
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon 3 diode
· · · · Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 °C Short circuit withstand time ­ 5µs Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners ® · TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - very high switching speed · Low EMI 1 · Qualified according to JEDEC for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ VCE 600V IC;Tc=100°C VCE(sat),Tj=25°C 6A 1.5V Tj,max 175°C Marking K06T60 Package PG-TO-263-3-2

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 6 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
  • Power Dissipation Max: 88 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IKB06N60T - Infineon IGBT+ DIODE,600V,6A,TO263

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс