Datasheet IKW25T120 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 25 А, TO-247 — Даташит
Наименование модели: IKW25T120
Купить IKW25T120 на РадиоЛоцман.Цены — от 277 до 873 ₽ 36 предложений от 21 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | |||
IKW25T120FKSA1 Infineon | от 277 ₽ | ||
IKW25T120FKSA1 Infineon | 362 ₽ | ||
IKW25T120FKSA1 Infineon | 836 ₽ | ||
IKW25T120 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT, N, 1200 В, 25 А, TO-247
Краткое содержание документа:
TrenchStop Series
®
IKW25T120
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 50 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
- Power Dissipation Max: 190 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Current Ic Continuous a Max: 25 А
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case: TO-247
- Power Dissipation: 190 Вт
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Fischer Elektronik - WLPG 02