Источники питания Keen Side

Datasheet IXGF32N170 - IXYS Даташит IGBT, ISOI4-PAC — Даташит

IXYS IXGF32N170

Наименование модели: IXGF32N170

22 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
Akcel
Весь мир
IXGF32N170
IXYS
от 1 459 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IXGF32N170
IXYS
1 690 ₽
IXGF32N170
IXYS
1 858 ₽
ЭИК
Россия
IXGF32N170
IXYS
от 3 786 ₽
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOI4-PAC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 44 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3.5 В
  • Power Dissipation Max: 200 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Корпус транзистора: ISOi4-PAC
  • Current Ic Continuous a Max: 26 А
  • Junction to Case Thermal Resistance A: 0.65°C/W
  • Package / Case: ISOi4-PAC
  • Pin Configuration: Single
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: NPN
  • Voltage Vces: 1700 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXGF32N170 - IXYS IGBT, ISOI4-PAC

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс