Datasheet IXGF32N170 - IXYS Даташит IGBT, ISOI4-PAC — Даташит
Наименование модели: IXGF32N170
![]() 34 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | |||
IXGF32N170 IXYS | 1 174 ₽ | ||
IXGF32N170 IXYS | 1 423 ₽ | ||
IXGF32N170 IXYS | 1 683 ₽ | ||
IXGF32N170 IXYS | 2 056 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: IGBT, ISOI4-PAC
Краткое содержание документа:
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 44 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.5 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: ISOi4-PAC
- Current Ic Continuous a Max: 26 А
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.65°C/W
- Package / Case: ISOi4-PAC
- Pin Configuration: Single
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: NPN
- Voltage Vces: 1700 В
RoHS: есть