Datasheet Nexperia SI2302DS/G,215 — Даташит
N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS
Datasheets
Datasheet SI2302DS
PDF, 366 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 6 май 2024, Страниц: 13
N-channel TrenchMOS logic level FET
N-channel TrenchMOS logic level FET
Выписка из документа
Цены
Купить SI2302DS на РадиоЛоцман.Цены — от 1.51 до 859 ₽ 35 предложений от 23 поставщиков Транзисторы и сборки MOSFET | |||
SI2302DS SI2302 A2SHB SOT23 2.5A/20V Новый и оригинальный | 1.51 ₽ | ||
SI2302DS,215 NXP | от 2.62 ₽ | ||
SI2302DS-T1-GE3 | от 3.60 ₽ | ||
SI2302DS,215 NXP | 18 ₽ |
Подробное описание
Режим улучшения N-канала логического уровня.
Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях.
Этот продукт был удален.
Модельный ряд
Серия: SI2302DS (2)
- SI2302DS,215 SI2302DS/G,215
Классификация производителя
- MOSFETs > Small signal MOSFETs
Варианты написания:
SI2302DS/G215, SI2302DS/G 215