Datasheet Renesas HIP2210FRTZ-T — Даташит

Datasheets

Цены

Купить HIP2210FRTZ-T на РадиоЛоцман.Цены — от 88 до 284 ₽ 18 предложений от 6 поставщиков Gate Drivers 100V/4A PWM input Half Bridge Driver,10Ld 4x4 TDFN T&R
ChipWorker Весь мир	HIP2210FRTZ-T Renesas	88 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	HIP2210FRTZ-T Renesas	100 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	HIP2210FRTZ-T	от 180 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	HIP2210FRTZ-T Renesas	284 ₽	Купить

Подробное описание

HIP2210 - это высокочастотный полумостовой драйвер NMOS FET для источника питания 100 В, 3 А, 4 А для приемника.

HIP2210 имеет трехуровневый ШИМ-вход с программируемой выдержкой времени. Широкий диапазон рабочих напряжений от 6 В до 18 В и встроенный диод с высокой загрузкой поддерживают управление NMOS на стороне высокого и низкого напряжения в полумостовых приложениях 100 В.

Этот драйвер имеет мощный источник 3A, драйверы приемника 4A с очень быстрой 15 нс типичной задержкой распространения и 2 нс типичной задержкой согласования, что делает его оптимальным для приложений высокочастотной коммутации. VDD и загрузочный UVLO защищают от понижения напряжения.

Трехуровневый вход контакта ШИМ HIP2210 управляет драйверами верхней и нижней стороны с помощью одного контакта. Когда на входе ШИМ находится высокий логический уровень, включается полевой транзистор FET верхнего уровня, а полевой FET низкого уровня выключен. Когда на входе низкий логический уровень, включается FET моста нижней стороны, а FET верхней стороны выключается. Когда входное напряжение находится в состоянии среднего уровня, полевые полевые транзисторы верхнего и нижнего мостов отключены. Пороговые уровни ШИМ пропорциональны внешнего входного опорного напряжения на выводе VREF, позволяя операцию PWM через 2.7В до 5.5В логического диапазона.

HIP2210 предлагается в корпусе TDFN 10 Ld 4x4 мм.

Другие варианты исполнения

HIP2211

Модельный ряд

Классификация производителя

• Power Management > MOSFET Drivers > Half, Full Bridge & Three Phase Drivers

Варианты написания:

HIP2210FRTZT, HIP2210FRTZ T