Datasheet Nexperia GAN063-650WSAQ — Даташит
| Производитель | Nexperia |
| Серия | GAN063-650WSA |
| Модель | GAN063-650WSAQ |
650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN)
Datasheets
Datasheet GAN063-650WSA
PDF, 289 Кб, Язык: анг., Версия: 27112019, Файл закачен: 5 дек 2019, Страниц: 12
650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET
650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET
Выписка из документа
Цены
 Купить GAN063-650WSAQ на РадиоЛоцман.Цены — от 2 747 до 79 674 ₽14 предложений от 5 поставщиков Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | |||
| GAN063-650WSAQ NXP | 2 747 ₽ | ||
| GAN063-650WSAQ Nexperia | от 3 435 ₽ | ||
| GAN063-650WSAQ Nexperia | от 3 997 ₽ | ||
| GAN063650WSAQ | 79 674 ₽ | ||
Подробное описание
GAN063-650WSA — это 650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN).
Это нормально выключенное устройство, которое сочетает в себе передовые технологии высоковольтных GaN HEMT и низковольтных кремниевых MOSFET от Nexperia, предлагая превосходные Надежность и производительность. Сертификация AEC-Q101.
Модельный ряд
Серия: GAN063-650WSA (1)
- GAN063-650WSAQ
Варианты написания:
GAN063650WSAQ, GAN063 650WSAQ
