Datasheet Diodes DGTD65T15H2TF — Даташит
| Производитель | Diodes |
| Серия | DGTD65T15H2TF |
| Модель | DGTD65T15H2TF |
650 В полевой стопор IGBT
Datasheets
Datasheet DGTD65T15H2TF
PDF, 1.8 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 26 мар 2019, Страниц: 9
650V Field Stop IGBT
650V Field Stop IGBT
Выписка из документа
Цены
 Купить DGTD65T15H2TF на РадиоЛоцман.Цены — от 67 до 14 331 ₽22 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | |||
| DGTD65T15H2TF Diodes | 67 ₽ | ||
| DGTD65T15H2TF Diodes | 82 ₽ | ||
| DGTD65T15H2TF Diodes | от 112 ₽ | ||
| DGTD65T15H2TF Diodes | 687 ₽ | ||
Подробное описание
DGTD65T15H2TF производится с использованием передовой технологии Field Stop Trench IGBT, которая обеспечивает высокую производительность, превосходное качество и высокую надежность.
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | ITO220AB (Type MC) |
Параметры
| Anti Parallel Diode | Yes |
| EOFF typ @ +25°C | 0.086 mJ |
| EON typ @ +25°C | 0.27 mJ |
| IC @ +100°C | 15 A |
| IC @ +25°C | 30 A |
| Power Dissipation @ TC = +25°C | 48 W |
| Short Circuit | 5 µs |
| VCE(sat) max @ +25°C | 2 V |
| VCE(sat) typ @ +25°C | 1.65 V |
| VCES | 650 V |
Классификация производителя
- Discrete > IGBTs
