Datasheet Microchip LND150N3-G-P003 — Даташит
Производитель | Microchip |
Серия | LND150 |
Модель | LND150N3-G-P003 |
N-канальный режим истощения DMOS FET
Datasheets
Datasheet LND150
PDF, 610 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 7
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
Выписка из документа
Цены
Купить LND150N3-G-P003 на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 124 ₽ 22 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
LND150N3-G-P003 Microchip | от 42 ₽ | ||
LND150N3-G-P003 Microchip | 45 ₽ | ||
LND150N3-G-P003 Microchip | 115 ₽ | ||
LND150N3-G-P003 Microchip | от 124 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Корпус | TO-92 |
Параметры
Automotive Recommended | No |
BVdsx min | 500 В |
Lead Count | 3 |
Package Width | - |
RDS | 1000 Ω |
Vgs(off) max | -3.0 В |
Vgs(off) min | -1.0 В |
Модельный ряд
Серия: LND150 (7)
- LND150K1-G LND150N3-G LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P014 LND150N8-G
Классификация производителя
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Варианты написания:
LND150N3GP003, LND150N3 G P003