Datasheet IRF7103PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF7103PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 12 449 ₽ 21 предложений от 15 поставщиков Сдвоенные N-канальные с упр. логич. уровнем Vси = 50 В, Rоткр = 0.13 Ом, Id(25°C) = 3 A
T-electron Россия и страны СНГ	IRF7103PBF Infineon	18 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	IRF7103PBF Infineon	20 ₽	Купить
Триема Россия	IRF7103PBF MOSFET N-CH 50V 3A	21 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7103PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IRF7103PbF
l l l l l l l l
PD -95037A
Adavanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3 А
• Drain Source Voltage Vds: 50 В
• On Resistance Rds(on): 130 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 3 А
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Pulse Current Idm: 10 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: F7103
• Voltage Vds: 50 В
• Voltage Vds Typ: 50 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01