Datasheet IRF5801TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 200 В, TSOP-6 — Даташит
Наименование модели: IRF5801TRPBF
Купить IRF5801TRPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 9.23 до 400 ₽ 49 предложений от 21 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
IRF5801TRPBF Infineon | 9.23 ₽ | ||
IRF5801TRPBF Infineon | от 9.52 ₽ | ||
IRF5801TRPBF Infineon | от 39 ₽ | ||
IRF5801TRPBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 200 В, TSOP-6
Краткое содержание документа:
PD-94044A
SMPS MOSFET
Applications l High frequency DC-DC converters
IRF5801
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 600 мА
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 2.2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TSOP
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Код применяемости: SMPS
- Cont Current Id @ 25В°C: 600 мА
- Cont Current Id @ 70В°C: 0.48
- Current Id Max: 600 мА
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 62.5°C/W
- Тип корпуса: TSOP
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 4.8 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
- Voltage Vds: 200 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть