Datasheet Texas Instruments ISO5852S-Q1 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | ISO5852S-Q1 |
Изолированный IGBT, драйвер затвора MOSFET с высоким CMTI, 2,5 А/5 А, с разделенными выходами и функциями защиты
Datasheets
ISO5852S-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features datasheet
PDF, 1.7 Мб, Версия: A, Файл опубликован: 22 дек 2016
Выписка из документа
Цены
Купить ISO5852S на РадиоЛоцман.Цены — от 235 до 795 ₽ 33 предложений от 13 поставщиков High-CMTI 2.5A/5A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features 16-SOIC -40℃ to 125℃ | |||
ISO5852SDWR Texas Instruments | 235 ₽ | ||
ISO5852SDWR Texas Instruments | 247 ₽ | ||
ISO5852SDWR Texas Instruments | от 609 ₽ | ||
ISO5852SDWR Texas Instruments | по запросу |
Статус
ISO5852SQDWQ1 | ISO5852SQDWRQ1 | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
ISO5852SQDWQ1 | ISO5852SQDWRQ1 | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 16 | 16 |
Package Type | DW | DW |
Industry STD Term | SOIC | SOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
Package QTY | 40 | 2000 |
Carrier | TUBE | LARGE T&R |
Маркировка | ISO5852SQ | ISO5852SQ |
Width (мм) | 7.5 | 7.5 |
Length (мм) | 10.3 | 10.3 |
Thickness (мм) | 2.35 | 2.35 |
Pitch (мм) | 1.27 | 1.27 |
Max Height (мм) | 2.65 | 2.65 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | ISO5852SQDWQ1 | ISO5852SQDWRQ1 |
---|---|---|
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage, Vpk | 2121 | 2121 |
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating, Vpk | 8000 | 8000 |
Enable/Disable Function | N/A | N/A |
Input VCC(Max), В | 5.5 | 5.5 |
Input VCC(Min), В | 2.25 | 2.25 |
Isolation Rating, Vrms | 5700 | 5700 |
Количество каналов | 1 | 1 |
Рабочий диапазон температур, C | от -40 до 125 | от -40 до 125 |
Output VCC/VDD(Max), В | 30 | 30 |
Output VCC/VDD(Min), В | 15 | 15 |
Package Group | SOIC | SOIC |
Package Size: mm2:W x L, PKG | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) | 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) |
Peak Output Current, A | 5 | 5 |
Power Switch | IGBT | IGBT |
Prop Delay, нс | 110 | 110 |
Prop Delay(Max), нс | 110 | 110 |
Экологический статус
ISO5852SQDWQ1 | ISO5852SQDWRQ1 | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: ISO5852S-Q1 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Isolation> Isolated Gate Driver