Datasheet Texas Instruments CSD19505KTT — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD19505KTT |
80 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET
Datasheets
CSD19505KTT 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 402 Кб, Файл опубликован: 3 мар 2016
Выписка из документа
Цены
Купить CSD19505KTT на РадиоЛоцман.Цены — от 160 до 6 316 ₽ 31 предложений от 12 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 212 А, 0.0026 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
CSD19505KTT Texas Instruments | 160 ₽ | ||
CSD19505KTT Texas Instruments | 177 ₽ | ||
CSD19505KTT Texas Instruments | по запросу | ||
CSD19505KTT Texas Instruments | по запросу |
Статус
CSD19505KTT | CSD19505KTTT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD19505KTT | CSD19505KTTT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 3 | 3 |
Package Type | KTT | KTT |
Industry STD Term | TO-263 | TO-263 |
JEDEC Code | R-PSFM-G | R-PSFM-G |
Package QTY | 500 | 50 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD19505KTT | CSD19505KTT |
Width (мм) | 8.41 | 8.41 |
Length (мм) | 10.18 | 10.18 |
Thickness (мм) | 4.44 | 4.44 |
Pitch (мм) | 2.54 | 2.54 |
Max Height (мм) | 4.83 | 4.83 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD19505KTT | CSD19505KTTT |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 212 | 212 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
Корпус, мм | D2PAK | D2PAK |
QG Typ, nC | 76 | 76 |
QGD Typ, nC | 11 | 11 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 3.1 | 3.1 |
VDS, В | 80 | 80 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 2.6 | 2.6 |
Экологический статус
CSD19505KTT | CSD19505KTTT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19505KTT (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor