Datasheet Texas Instruments CSD18537NQ5A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18537NQ5A |
60-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD18537NQ5A 60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 694 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 3 июл 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18537NQ5A на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 1 109 ₽40 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| CSD18537NQ5A Texas Instruments | 13 ₽ | ||
| CSD18537NQ5A Texas Instruments | 34 ₽ | ||
| CSD18537NQ5A Texas Instruments | от 56 ₽ | ||
| CSD18537NQ5A Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| CSD18537NQ5A | CSD18537NQ5AT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD18537NQ5A | CSD18537NQ5AT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DQJ | DQJ |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | 18537N | 18537N |
| Width (мм) | 6 | 6 |
| Length (мм) | 4.9 | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 | 1 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD18537NQ5A | CSD18537NQ5AT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 54 | 54 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 151 | 151 |
| Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
| QG Typ, nC | 14 | 14 |
| QGD Typ, nC | 2.3 | 2.3 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 13 | 13 |
| VDS, В | 60 | 60 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 3 | 3 |
Экологический статус
| CSD18537NQ5A | CSD18537NQ5AT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD18537NQ5A (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
