Datasheet Texas Instruments CSD18512Q5BT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18512Q5B |
| Модель | CSD18512Q5BT |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 40 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD18512Q5B 40 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 653 Кб, Файл опубликован: 12 дек 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18512Q5BT на РадиоЛоцман.Цены — от 85 до 1 658 ₽24 предложений от 8 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| CSD18512Q5BT Texas Instruments | 85 ₽ | ||
| CSD18512Q5BT Texas Instruments | 98 ₽ | ||
| CSD18512Q5BT Texas Instruments | от 229 ₽ | ||
| CSD18512Q5BT Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DNK |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD18512 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | .95 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 211 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 75 nC |
| QGD Typ | 13.3 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 1.8 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 1.6 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 2.3 mOhms |
| VDS | 40 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.6 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18512Q5B (2)
- CSD18512Q5B CSD18512Q5BT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
