Datasheet Texas Instruments CSD18510KCS — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18510KCS |
| Модель | CSD18510KCS |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 40 В, 3-TO-220 от -55 до 175
Datasheets
CSD18510KCS 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 346 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 24 июл 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18510KCS на РадиоЛоцман.Цены — от 96 до 195 ₽26 предложений от 10 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| CSD18510KCS Texas Instruments | 96 ₽ | ||
| CSD18510KCS Texas Instruments | 104 ₽ | ||
| CSD18510KCS Texas Instruments | 110 ₽ | ||
| CSD18510KCS Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KCS |
| Industry STD Term | TO-220 |
| JEDEC Code | R-PSFM-T |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | TUBE |
| Маркировка | CSD18510KCS |
| Width (мм) | 8.7 |
| Length (мм) | 10.16 |
| Thickness (мм) | 4.58 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.7 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 274 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | TO-220 мм |
| QG Typ | 119 nC |
| QGD Typ | 21 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 2.0 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 1.7 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 2.6 mOhms |
| VDS | 40 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.7 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
