Datasheet Texas Instruments CSD18509Q5B — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18509Q5B |
40 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, CSD18509Q5B
Datasheets
CSD18509Q5B N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 492 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 19 май 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18509Q5B на РадиоЛоцман.Цены — от 97 до 231 ₽25 предложений от 11 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| CSD18509Q5B Texas Instruments | 97 ₽ | ||
| CSD18509Q5B Texas Instruments | от 101 ₽ | ||
| CSD18509Q5B Texas Instruments | от 216 ₽ | ||
| CSD18509Q5B Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| CSD18509Q5B | CSD18509Q5BT | |
|---|---|---|
| Статус продукта | В производстве | В производстве |
| Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| CSD18509Q5B | CSD18509Q5BT | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DNK | DNK |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD18509 | CSD18509 |
| Width (мм) | 6 | 6 |
| Length (мм) | 5 | 5 |
| Thickness (мм) | .95 | .95 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Parameters / Models | CSD18509Q5B | CSD18509Q5BT |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 299 | 299 |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
| Корпус, мм | SON5x6 | SON5x6 |
| QG Typ, nC | 150 | 150 |
| QGD Typ, nC | 17 | 17 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 1.3 | 1.3 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 1.2 | 1.2 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 1.7 | 1.7 |
| VDS, В | 40 | 40 |
| VGS, В | 20 | 20 |
| VGSTH Typ, В | 1.9 | 1.9 |
Экологический статус
| CSD18509Q5B | CSD18509Q5BT | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD18509Q5B (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor
