Datasheet Texas Instruments CSD17308Q3 — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD17308Q3 |
30V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs datasheet
PDF, 406 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 29 окт 2015
Выписка из документа
Цены
Купить CSD17308Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 264 ₽ 51 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
CSD17308Q3T Texas Instruments | 20 ₽ | ||
CSD17308Q3 Texas Instruments | от 25 ₽ | ||
CSD17308Q3 | по запросу | ||
CSD17308Q3 Texas Instruments | по запросу |
Статус
CSD17308Q3 | CSD17308Q3T | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Да | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD17308Q3 | CSD17308Q3T | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 8 | 8 |
Package Type | DQG | DQG |
Package QTY | 2500 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD17308 | CSD17308 |
Width (мм) | 3.3 | 3.3 |
Length (мм) | 3.3 | 3.3 |
Thickness (мм) | 1 | 1 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD17308Q3 | CSD17308Q3T |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 47 | 47 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 78 | 78 |
Корпус, мм | SON3x3 | SON3x3 |
QG Typ, nC | 3.9 | 3.9 |
QGD Typ, nC | 0.8 | 0.8 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 9.4 | 9.4 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 11.8 | 11.8 |
VDS, В | 30 | 30 |
VGS, В | 10 | 10 |
VGSTH Typ, В | 1.3 | 1.3 |
Экологический статус
CSD17308Q3 | CSD17308Q3T | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Application Notes
- A solar-powered buck/boost battery chargerPDF, 334 Кб, Файл опубликован: 26 апр 2012
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD17308Q3 (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor