Datasheet Texas Instruments TPS1110DR — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | TPS1110 |
Модель | TPS1110DR |
Одиночный P-канальный МОП-транзистор логического уровня 8-SOIC
Datasheets
Цены
SINGLE P-CHANNEL LOGIC-LEVEL MOSFETS | |||
TPS1110DR | по запросу | ||
TPS1110DR Texas Instruments | по запросу | ||
TPS1110DR Texas Instruments | по запросу | ||
TPS1110DR Texas Instruments | по запросу |
Статус
Статус продукта | Снят с производства (Производитель прекратил производство прибора) |
Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | D |
Industry STD Term | SOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G |
Width (мм) | 3.91 |
Length (мм) | 4.9 |
Thickness (мм) | 1.58 |
Pitch (мм) | 1.27 |
Max Height (мм) | 1.75 |
Mechanical Data | Скачать |
Экологический статус
RoHS | Не совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Нет |
Модельный ряд
Серия: TPS1110 (2)
- TPS1110D TPS1110DR
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > P-Channel MOSFET Transistor