Datasheet Texas Instruments TLE2021IDR — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | TLE2021 |
Модель | TLE2021IDR |
Прецизионный маломощный операционный усилитель с однополярным питанием 8-SOIC от -40 до 85
Datasheets
Excalibur High-Speed Low-Power Precision Operational Amplifiers. datasheet
PDF, 2.0 Мб, Версия: D, Файл опубликован: 24 ноя 2010
Выписка из документа
Цены
Купить TLE2021IDR на РадиоЛоцман.Цены — от 45 до 199 ₽ 33 предложений от 14 поставщиков Интегральные микросхемы Аналоговая техника — усилители — инструменты, ОУ (операционные), буферные | |||
TLE2021IDR Texas Instruments | 45 ₽ | ||
TLE2021IDR Texas Instruments | 52 ₽ | ||
TLE2021IDR Texas Instruments | 167 ₽ | ||
TLE2021IDR Vishay | по запросу |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | D |
Industry STD Term | SOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | 2021I |
Width (мм) | 3.91 |
Length (мм) | 4.9 |
Thickness (мм) | 1.58 |
Pitch (мм) | 1.27 |
Max Height (мм) | 1.75 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Additional Features | N/A |
Архитектура | Bipolar |
CMRR(Min) | 85 дБ |
CMRR(Typ) | 110 дБ |
GBW(Typ) | 1.7 МГц |
Input Bias Current(Max) | 70000 pA |
Iq per channel(Max) | 0.3 мА |
Iq per channel(Typ) | 0.2 мА |
Количество каналов | 1 |
Offset Drift(Typ) | 2 uV/C |
Рабочий диапазон температур | от -40 до 85,0 до 70 C |
Output Current(Typ) | 3 мА |
Package Group | SOIC |
Package Size: mm2:W x L | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) PKG |
Rail-to-Rail | In to V- |
Rating | Catalog |
Slew Rate(Typ) | 0.5 V/us |
Total Supply Voltage(Max) | 40 +5V=5, +/-5V=10 |
Total Supply Voltage(Min) | 4 +5V=5, +/-5V=10 |
Vn at 1kHz(Typ) | 17 нВ/rtГц |
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max) | 0.6 мВ |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Application Notes
- DC Parameters: Input Offset VoltagePDF, 295 Кб, Файл опубликован: 27 мар 2001
The input offset voltage, VIO, is a common dc parameter in operational amplifier (op amp) specifications. This report aims to familiarize the engineer by discussing the basics and modern aspects of VIO by providing a definition and a detailed explaination of causes of VIO for BJT, BiFET, and CMOS devices. Discussion centers around measurement techniques, data sheet specifications, and the effect o - TLE202x EMI Immunity Performance (Rev. A)PDF, 90 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 5 ноя 2012
Модельный ряд
Серия: TLE2021 (13)
Классификация производителя
- Semiconductors > Amplifiers > Operational Amplifiers (Op Amps) > Precision Op Amps