Datasheet Texas Instruments CSD17322Q5A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17322Q5A |
| Модель | CSD17322Q5A |
30 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSONP от -55 до 150
Datasheets
30V, N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs, CSD17322Q5A datasheet
PDF, 281 Кб, Файл опубликован: 28 июн 2011
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD17322Q5A на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 352 ₽31 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| CSD17322Q5A Texas Instruments | от 11 ₽ | ||
| CSD17322Q5A Texas Instruments | от 33 ₽ | ||
| CSD17322Q5A Texas Instruments | 36 ₽ | ||
| CSD17322Q5A Texas Instruments | от 352 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQJ |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD17322 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 87 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 104 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 3.6 nC |
| QGD Typ | 1.1 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 10 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 12.4 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.6 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
