Datasheet Texas Instruments CSD19506KTTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19506KTT |
| Модель | CSD19506KTTT |
80 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET 3-DDPAK/TO-263 от -55 до 175
Datasheets
CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 403 Кб, Файл опубликован: 8 мар 2016
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19506KTTT на РадиоЛоцман.Цены — от 267 до 1 305 ₽22 предложений от 8 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| CSD19506KTTT Texas Instruments | 267 ₽ | ||
| CSD19506KTTT Texas Instruments | 307 ₽ | ||
| CSD19506KTTT Texas Instruments | от 660 ₽ | ||
| CSD19506KTTT Texas Instruments | от 1 305 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19506KTT |
| Width (мм) | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 291 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | D2PAK мм |
| QG Typ | 120 nC |
| QGD Typ | 20 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhms |
| VDS | 80 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.5 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19506KTT (2)
- CSD19506KTT CSD19506KTTT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
