Datasheet Texas Instruments CSD19532KTTT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19532KTT |
| Модель | CSD19532KTTT |
100 В, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET 3-DDPAK/TO-263 от -55 до 175
Datasheets
CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 367 Кб, Файл опубликован: 27 окт 2015
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19532KTTT на РадиоЛоцман.Цены — от 126 до 1 149 ₽19 предложений от 9 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| CSD19532KTTT Texas Instruments | 126 ₽ | ||
| CSD19532KTTT Texas Instruments | 152 ₽ | ||
| CSD19532KTTT Texas Instruments | от 373 ₽ | ||
| CSD19532KTTT Texas Instruments | 1 149 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KTT |
| Industry STD Term | TO-263 |
| JEDEC Code | R-PSFM-G |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD19532KTT |
| Width (мм) | 8.41 |
| Length (мм) | 10.18 |
| Thickness (мм) | 4.44 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.83 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 136 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | D2PAK мм |
| QG Typ | 44 nC |
| QGD Typ | 17 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 5.6 mOhms |
| VDS | 100 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.6 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19532KTT (2)
- CSD19532KTT CSD19532KTTT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
