Datasheet Texas Instruments CSD17308Q3T — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD17308Q3 |
Модель | CSD17308Q3T |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 30 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFETs datasheet
PDF, 406 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 29 окт 2015
Выписка из документа
Цены
Купить CSD17308Q3T на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 307 ₽ 28 предложений от 11 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
CSD17308Q3T Texas Instruments | 20 ₽ | ||
CSD17308Q3T Texas Instruments | 36 ₽ | ||
CSD17308Q3T Texas Instruments | от 131 ₽ | ||
CSD17308Q3T Texas Instruments | по запросу |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | DQG |
Package QTY | 250 |
Carrier | SMALL T&R |
Маркировка | CSD17308 |
Width (мм) | 3.3 |
Length (мм) | 3.3 |
Thickness (мм) | 1 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 47 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 78 A |
Корпус | SON3x3 мм |
QG Typ | 3.9 nC |
QGD Typ | 0.8 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 9.4 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 11.8 mOhms |
VDS | 30 В |
VGS | 10 В |
VGSTH Typ | 1.3 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: BQ500211AEVM-210
bq500211A Evaluation Module
Статус продукта: Снят с производства (Производитель прекратил производство прибора)
Application Notes
- A solar-powered buck/boost battery chargerPDF, 334 Кб, Файл опубликован: 26 апр 2012
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD17308Q3 (2)
- CSD17308Q3 CSD17308Q3T
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor