Datasheet Texas Instruments CSD19538Q3AT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19538Q3A |
| Модель | CSD19538Q3AT |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET 100 В 8-VSONP от -55 до 150
Datasheets
CSD19538Q3A 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 352 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 20 мар 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD19538Q3AT на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 260 ₽24 предложений от 9 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| CSD19538Q3AT Texas Instruments | от 14 ₽ | ||
| CSD19538Q3AT Texas Instruments | 26 ₽ | ||
| CSD19538Q3AT Texas Instruments | от 123 ₽ | ||
| CSD19538Q3AT Texas Instruments | от 260 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DNH |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | 19538 |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | .8 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 13.7 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 36 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 4.3 nC |
| QGD Typ | 0.8 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 61 mOhms |
| VDS | 100 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 3.2 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19538Q3A (2)
- CSD19538Q3A CSD19538Q3AT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
