Datasheet Texas Instruments CSD13306WT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD13306W |
| Модель | CSD13306WT |
CSD13306W N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 12 В 6-DSBGA
Datasheets
CSD13306W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 611 Кб, Файл опубликован: 16 мар 2015
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD13306WT на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 105 ₽29 предложений от 9 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| CSD13306WT Texas Instruments | 19 ₽ | ||
| CSD13306WT Texas Instruments | 46 ₽ | ||
| CSD13306WT Texas Instruments | от 103 ₽ | ||
| CSD13306WT Texas Instruments | от 105 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 6 |
| Package Type | YZC |
| Industry STD Term | DSBGA |
| JEDEC Code | R-XBGA-N |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | 13306 |
| Width (мм) | 1.8 |
| Length (мм) | 1.5 |
| Thickness (мм) | 2 |
| Pitch (мм) | .5 |
| Max Height (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 44 A |
| Корпус | WLP 1.0x1.5 мм |
| QG Typ | 8.6 nC |
| QGD Typ | 3.0 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 8.8 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 10.2 mOhms |
| VDS | 12 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1.0 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
