Datasheet 2MBI900VXA-120E-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, MODULE, сдвоенный, 900A/1200V — Даташит
Наименование модели: 2MBI900VXA-120E-50
5 предложений от 5 поставщиков FUJI ELECTRIC 2MBI900VXA-120E-50 IGBT Array & Module Transistor, Dual Pack, Dual N Channel, 1.2kA, 1.85V, 5.1kW, 1.2kV, Module | |||
2MBI900VXA-120E-50 Fuji | 50 472 ₽ | ||
2SP0320T2B0-2MBI900VXA-120E-50 Power Integrations | по запросу | ||
2SP0320V2A0-2MBI900VXA-120E-50 Power Integrations | по запросу | ||
2MBI900VXA-120E-50 Fuji Electric | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, MODULE, сдвоенный, 900A/1200V
Краткое содержание документа:
This material and the information herein is the property of Fuji Electric Co., Ltd.
They shall be neither reproduced, copied, lent, or disclosed in any way whatsoever for the use of any third party nor used for the manufacturing purposes without the express written consent of Fuji Electric Co., Ltd.
DRAWN
SPECIFICATION
(900A/1200V-IGBT Module)
IGBT Module (RoHS compliant product)
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
- DC Collector Current: 1.2 кА
- Количество выводов: 10
- Корпус транзистора: Module
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -
- Рассеиваемая мощность: 5.1 кВт
- RoHS: да
Варианты написания:
2MBI900VXA120E50, 2MBI900VXA 120E 50