Datasheet 2MBI1200U4G-120 - Fuji Electric Даташит IGBT, MODULE, сдвоенный, 1200A/1200V — Даташит
Наименование модели: 2MBI1200U4G-120
5 предложений от 5 поставщиков FUJI ELECTRIC 2MBI1200U4G-120 IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 1.6kA, 2.22V, 6.25kW, 1.2kV, Module | |||
| 2MBI1200U4G-120 Fuji | 100 573 ₽ | ||
| 2MBI1200U4G-120 Fujitsu | по запросу | ||
| 2MBI1200U4G-120 | по запросу | ||
| 2MBI1200U4G-120 Fuji Electric | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, MODULE, сдвоенный, 1200A/1200V
Скачать Data SheetСпецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.22 В
- DC Collector Current: 1.6 кА
- Количество выводов: 10
- Корпус транзистора: Module
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -
- Рассеиваемая мощность: 6.25 кВт
- RoHS: нет
Варианты написания:
2MBI1200U4G120, 2MBI1200U4G 120
