Datasheet BUK963R3-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK963R3-60E
Купить BUK963R3-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 63 до 331 ₽ 23 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
BUK963R3-60E,118 Nexperia | от 63 ₽ | ||
BUK963R3-60E.118 Nexperia | 78 ₽ | ||
BUK963R3-60E,118 NXP | 167 ₽ | ||
BUK963R3-60E NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK963R3-60E
20 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 2730µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 293 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK963R360E, BUK963R3 60E