Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet BUK9637-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 31 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK9637-100E

Наименование модели: BUK9637-100E

25 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AiPCBA
Весь мир
BUK9637-100E,118
TE Connectivity
41 ₽
LIXINC Electronics
Весь мир
BUK9637-100E
NXP
от 41 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK9637-100E.118
Nexperia
50 ₽
Allelco
Весь мир
BUK9637-100E
NXP
по запросу
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 31 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9637-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 31 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.031 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 96 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK9637100E, BUK9637 100E

На английском языке: Datasheet BUK9637-100E - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 31 A, D2PAK

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс