Datasheet BUK956R1-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, TO-220AB — Даташит

Купить BUK956R1-100E на РадиоЛоцман.Цены — от 101 до 14 598 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Compliant No SVHC TO-220AB 3 1.7 V 349 W 175 °C 4.85 mΩ
ChipWorker Весь мир	BUK956R1-100E127 NXP	101 ₽	Купить
IC Home Весь мир	BUK956R1-100E,127 NXP	105 ₽	Купить
Триема Россия	BUK956R1-100E-VB	142 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK956R1-100E,127 NXP	157 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, TO-220AB

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK956R1-100E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 4850µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220AB
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 349 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK956R1100E, BUK956R1 100E