Datasheet SPB11N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 11 А, D2PAK — Даташит

Купить SPB11N60C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 92 до 843 ₽ 34 предложений от 21 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
LIXINC Electronics Весь мир	SPB11N60C3ATMA1 Infineon	от 92 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SPB11N60C3T Infineon	122 ₽	Купить
Элитан Россия	SPB11N60C3ATMA1 Infineon	358 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	SPB11N60C3ATMA1 Infineon	от 380 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 11 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB11N60C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Improved transconductance
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
650 0.38 11
PG-TO263

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 0.34 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• RoHS: да