Datasheet IPB320N20N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO263-3 — Даташит

Купить IPB320N20N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 167 до 438 ₽ 9 предложений от 8 поставщиков Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
LIXINC Electronics Весь мир	IPB320N20N3G Infineon	от 167 ₽	Купить
Элитан Россия	IPB320N20N3G Infineon	382 ₽	Купить
Akcel Весь мир	IPB320N20N3GS Infineon	по запросу	Купить
МосЧип Россия	IPB320N20N3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB320N20N3 G
IPP320N20N3 G IPI320N20N3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary V DS R DS(on),max ID 200 32 34 V m A

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 34 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 0.028 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 136 Вт
• RoHS: да