Datasheet IPB039N10N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 160 А, TO263-7 — Даташит

Купить IPB039N10N3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 148 до 277 ₽ 11 предложений от 10 поставщиков МОП-транзистор OptiMOS 3 Power Transistor
ChipWorker Весь мир	IPB039N10N3GE818XT Infineon	148 ₽	Купить
LIXINC Electronics Весь мир	IPB039N10N3G Infineon	от 151 ₽	Купить
Allelco Весь мир	IPB039N10N3G Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPB039N10N3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 160 А, TO263-7

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB039N10N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features P ' 3 81>>5< >? A =1<< 5E5< P G 5<5>C71C 3 81A GR 9H"[Z# @A 4D C ( & 3 < 5 75 ? 3 P.

5A < F ? >A 9C 5 R 9H"[Z# H? 5BB1>3 P " 9 3 D A 3 1@12 9C 78 A5>C 7 1C A P ) 2 655 < A 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>C 1C >7 9 P * D 954 13 3 ? A >7 C $ 1<6 9 49 ?
)#
TM

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 160 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.0033 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.7 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 7
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 214 Вт
• RoHS: да