Datasheet BSP123 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 370 мА, SOT223 — Даташит
Наименование модели: BSP123 L6327
Купить BSP123 L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 41 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 / Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | |||
BSP123L6327 Infineon | 15 ₽ | ||
BSP123L6327HTSA1 Infineon | 20 ₽ | ||
BSP123L6327 Infineon | 39 ₽ | ||
BSP123L6327 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 370 мА, SOT223
Краткое содержание документа:
Rev.
1.5
BSP123
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID 100 6 0.37
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 370 мА
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-223
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.79 Вт
- RoHS: да