Datasheet SJDA065R055 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 650 В, 30 А, TO220 — Даташит

Подробное описание

Производитель: SemiSouth

Описание: JFET, SIC, N-ON, 650 В, 30 А, TO220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
SJDA065R055
Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET
Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Extremely Fast Switching with No "Tail" Current at 150 ° C - RDS(on) max of 0.055 - Voltage Controlled - Low Gate Charge - Low Intrinsic Capacitance
G(1)

Спецификации:

• Breakdown Voltage Vbr: 650 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 114 Вт
• Тип транзистора: JFET
• RoHS: да