Datasheet NTE452 - NTE Electronics Даташит Транзистор, JFET, 30 В, 5-15 мА, TO-72-3 — Даташит

Купить NTE452 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 032 до 105 230 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков TRANSISTOR, JFET, 30V, 5-15mA, TO-72-3, Breakdown Voltage Vbr:30V, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA, Zero Gate Voltage Drain Current Idss...
AiPCBA Весь мир	NTE452 NTE Electronics	1 032 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	NTE452 NTE Electronics	1 103 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE452 NTE Electronics	1 104 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTE452 NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Транзистор, JFET, 30 В, 5-15 мА, TO-72-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE452 Silicon N­Channel JFET Transistor VHF Amplifier, Mixer
Description: The NTE452 is a silicon, N­channel junction field effect tranistor (JFET) in a TO72 type package designed to be used in the depletion mode in VHF/UHF amplifiers.

Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate Above 2

Спецификации:

• Breakdown Voltage Vbr: 30 В
• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6 В
• Количество выводов: 3
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Тип транзистора: JFET
• RoHS: да