Datasheet NTSB20120CT-1G - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, сдвоенный, 20 А, 120 В, I2PAK — Даташит

Купить NTSB20120CT-1G на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 303 ₽ 22 предложений от 11 поставщиков Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — наборы и массивы
AiPCBA Весь мир	NTSB20120CT-1G ON Semiconductor	37 ₽	Купить
Akcel Весь мир	NTSB20120CT-1G ON Semiconductor	от 38 ₽	Купить
LIXINC Electronics Весь мир	NTSB20120CT-1G ON Semiconductor	от 303 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTSB20120CT-1G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, сдвоенный, 20 А, 120 В, I2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTST20120CT, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT-1G, NTSB20120CTG, NTSB20120CTT4G Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
Exceptionally Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
Features http://onsemi.com
VERY LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES, 120 VOLTS
PIN CONNECTIONS

Спецификации:

• Diode Configuration: Dual Common Cathode
• Diode Type: Schottky
• Forward Current If(AV): 20 А
• Forward Surge Current Ifsm Max: 120 А
• Forward Voltage VF Max: 1.1 В
• Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 120 В
• Количество выводов: 3
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +125°C

• Тип корпуса: TO-262
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

NTSB20120CT1G, NTSB20120CT 1G