Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet NGTB25N120IHLWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 25 А, TO247 — Даташит

ON Semiconductor NGTB25N120IHLWG

Наименование модели: NGTB25N120IHLWG

11 предложений от 11 поставщиков
ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120IHLWG IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
T-electron
Россия и страны СНГ
NGTB25N120IHLWG
ON Semiconductor
88 ₽
ЧипСити
Россия
NGTB25N120IHLWG
ON Semiconductor
175 ₽
AiPCBA
Весь мир
NGTB25N120IHLWG
ON Semiconductor
272 ₽
NGTB25N120IHLWG
ON Semiconductor
312 ₽
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 25 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB25N120IHLWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss.

The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
  • DC Collector Current: 25 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet NGTB25N120IHLWG - ON Semiconductor IGBT, 1200 V, 25 A, TO247

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс